| 主权项 |
1.一种卤素系气体之除害剂,其特征在于:含有由-氢氧化氧化铁及-三氧化二铁所成群选出之氧化铁10-40质量%、硷土金属化合物20-80质量%及活性碳10-40质量%。2.如申请专利范围第1项之卤素系气体之除害剂,其中该硷土金属化合物系由镁、钙、锶及钡之氧化物、氢氧化物及碳酸盐所成群选出的至少1种。3.如申请专利范围第1项之卤素系气体之除害剂,其中系该活性碳之比表面积为500m2/g以上。4.如申请专利范围第1项之卤素系气体之除害剂,其中该除害剂系含有硫酸钙。5.如申请专利范围第4项之卤素系气体之除害剂,其中相对于氧化铁、硷土金属化合物及活性碳之总质量1,该硫酸钙之含量系于0-0.2之范围内。6.如申请专利范围第1项之卤素系气体之除害剂,其中该除害剂为将粒径各于100m以下之氧化铁、硷土金属化合物、活性碳及硫酸钙之粉末掺合后造粒所成之粒状物。7.如申请专利范围第6项之卤素系气体之除害剂,其中该除害剂为粒径于0.5-10mm之范围内之粒状物。8.如申请专利范围第1项之卤素系气体之除害剂,其中该卤素系气体为由卤素、卤化氢、卤化矽、卤化钨、卤化羰基、氟化硫、氯化砷、氯化磷、三氯化铝及三氯化硼所成群选出的至少1种气体。9.一种卤素系气体之除害方法,其特征在于:使含有卤素系气体之气体与如申请专利范围第1-8项中任一项之除害剂接触。10.如申请专利范围第9项之卤素系气体之除害方法,其中该卤素系气体为由卤素、卤化氢、卤化矽、卤化钨、卤化羰基、氟化硫、氯化砷、氯化磷、三氯化铝及三氯化硼所成群选出的至少1种气体。11.一种卤素系气体之除害方法,其特征在于:包含使含有卤素系气体之气体与由活性碳而成的除害剂接触的步骤,继而与如申请专利范围第1-8项中任一项之除害剂接触的步骤。12.如申请专利范围第11项之卤素系气体之除害方法,其中该活性碳之比表面积系500m2/g以上,粒径系于0.5-10mm之范围内。13.如申请专利范围第11项或第12项之卤素系气体之除害方法,其中该卤素系气体系包含卤素气体,并再包含由卤化氢、卤化矽、卤化钨、卤化羰基、氟化硫、氯化砷、氯化磷、三氯化铝及三氯化硼所成群选出的至少1种气体。14.一种卤素系气体之除害方法,其特征在于:包含使含有卤素系气体之气体与如申请专利范围第1-8项中任一项之除害剂接触的步骤,继而与由沸石所成的除害剂接触的步骤。15.如申请专利范围第14项之卤素系气体之除害方法,其中该沸石系合成沸石及/或天然沸石,其粒径系于0.5-10mm之范围内。16.如申请专利范围第15项之卤素系气体之除害方法,其中该合成沸石系MS-5A及/或MS-13X。17.如申请专利范围第14-16项中任一项之卤素系气体之除害方法,其中该卤素系气体系包含二氧化硫,并再包含由卤化氢、卤化矽、卤化钨、卤化羰基、氟化硫、氯化砷、氯化磷、三氧化铝及三氯化硼所成群选出的至少1种气体。18.如申请专利范围第9.11及14项中任一项之卤素系气体之除害方法,其中该被处理气体中卤素系气体之浓度系10vol%以下。19.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具有下述步骤:蚀刻步骤或清洁步骤:使用由氟化碳、六氟化硫、卤素、卤化氢及三氯化硼所成化合物群选出的至少1种气体,以作为蚀刻气体或清净气体;以及除害步骤:使由此等步骤排出之含卤素系气体之气体与如申请专利范围第1-8项中任一项之除害剂接触。20.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其中该除害步骤系包含与由活性碳而成的除害剂接触的步骤。21.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其中该除害步骤系包含与由沸石而成除害剂接触的步骤。22.如申请专利范围第19-21项中任一项之半导体装置之制造方法,其中由蚀刻步骤或清洁步骤所排出的气体中之卤素系气体浓度系10vol%以下。图式简单说明:[图1]含有本发明之卤素系气体之排气之除害方法系表示1实施形态之概略图。[图2]含有本发明之卤素系气体之排气之除害方法系表示1实施形态之概略图。[图3]由本发明之除害剂与活性碳成除害剂使组合之除害方法,系表示1实施形态之概略图。[图4]由本发明之除害剂与沸石成除害剂使组合之除害方法,系表示1实施形态之概略图。 |
