| 主权项 |
1.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一闸极,且该闸极侧壁已形成有一间隙壁;形成一源/汲极区于该间隙壁侧边之该基底内;于该闸极与该源/汲极区暴露出的表面形成复数个自行对准金属矽化层;利用一蚀刻步骤去除部分该间隙壁,使其成为一锐角间隙壁;对该基底进行一倾斜口袋离子植入,以于该闸极侧边之该基底内形成一口袋掺杂区域,且藉由控制该局部离子植入的能量与角度,以使口袋掺杂区域接近该基底表面;以及对该基底进行一倾斜角离子植入,以于该闸极侧边与该锐角间隙壁下之该基底内形成一源/汲极延伸区。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该锐角间隙壁之剖面大致呈三角形。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该口袋掺杂区域与该源/汲极延伸区的形成顺序对调。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中在形成该源/汲极延伸区之后,更包括进行一热循环制程,以调整该源/汲极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。5.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该些自行对准金属矽化层的步骤包括:于该基底上形成一金属层并覆盖该闸极;进行一热处理步骤,使该金属层与该闸极及该源/汲极区反应形成该些自行对准金属矽化层;以及去除未反应之该金属层。7.如申请专利范围第6项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该金属层的材质包括钛。8.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该源/汲极延伸区之掺质为磷与砷二者之一。9.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该口袋掺杂区域之掺质为镓与铟二者之一。10.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一闸极,且该闸极侧壁已形成有一间隙壁;形成一源/汲极区于该间隙壁侧边之该基底内;利用一蚀刻步骤去除部分该间隙壁,使其成为一锐角间隙壁;对该基底进行一倾斜口袋离子植入,以于该闸极侧边之该基底内形成一口袋掺杂区域,且藉由控制该局部离子植入的能量与角度,以使口袋掺杂区域接近该基底表面;以及对该基底进行一倾斜角离子植入,以于该闸极侧边与该锐角间隙壁下之该基底内形成一源/汲极延伸区。11.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该锐角间隙壁之剖面大致呈三角形。12.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该口袋掺杂区域与该源/汲极延伸区的形成顺序对调。13.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该间隙壁之步骤后,更包括于该闸极与该源/汲极区上形成复数个自行对准金属矽化层。14.如申请专利范围第13项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成该些自行对准金属矽化层的步骤包括:于该基底上形成一金属层并覆盖该闸极;进行一热处理步骤,使该金属层与该闸极及该源/汲极区反应形成该些自行对准金属矽化层;以及去除未反应之该金属层。15.如申请专利范围第14项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该金属层的材质包括钛。16.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中在形成该源/汲极延伸区之后,更包括进行一热循环制程,以调整该源/汲极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。17.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。18.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该源/汲极延伸区之掺质为磷与砷二者之一。19.如申请专利范围第10项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该口袋掺杂区域之掺质为镓与铟二者之一。图式简单说明:第1A图至第1E图是依照本发明较佳实施例之金氧半电晶体的制造流程剖面图。 |
