电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺

摘要

本发明涉及固化介电薄膜及其可用于集成电路生产的制造工艺。生产了双层介电薄膜,其中,下层包含一种不含硅的有机聚合物,而上层包含一种有机的含硅聚合物。这样的薄膜可用于制造微电子器件例如集成电路(IC)。在一个方面,上层含硅聚合物有<40%(摩尔)含碳取代基,而在另一方面,它有至少约40%(摩尔)含碳取代基。

主权项

1.一种有介电涂层的基材，包含(a)在一种基材上的第一介电组合物薄膜，包含一种不含硅或实质上不含硅的有机聚合物；和(b)在该第一介电薄膜上的第二介电组合物薄膜，该第二介电组合物包含一种具有选自I和II组成的一组的结构的聚合物：I.[H-SiO1.5]n[R-SiO1.5]m，[H0.4-1.0SiO1.5-1.8]n[R0.4-1.0-SiO1.5-1.8]m，[H0-1.0-SiO1.5-2.0]n[R-SiO1.5]m，[H-SiO1.5]x[R-SiO1.5]y[SiO2]z，式中，n与m之和，或x、y与z之和，是约8～约5000，且m和y选择得使含碳取代基的存在量为低于约40％(摩尔)；且式中R选自有取代和无取代的直链与支链烷基、环烷基、有取代和无取代的芳基，及其混合物；II.[HSiO1.5]n[RSiO1.5]m，[H0.4-1.0SiO1.5-1.8]n[R0.4-1.0SiO1.5-1.8]m，[H0-1.0SiO1.5-2.0]n[RSiO1.5]m，式中，n与m之和是约8～约5000，且m选择得使含碳取代基的存在量为约40％(摩尔)或更大；和[HSiO1.5]x[RSiO1.5]y[SiO2]z；式中，x、y和z之和是约8～约5000，且y选择得使含碳取代基的存在量为约40％(摩尔)或更大；且式中R选自有取代和无取代的直链与支链烷基、环烷基、有取代和无取代的芳基，及其混合物