发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 Die vorliegende Erfindung gibt eine Halbleitervorrichtung mit verbesserten Wärmeabführungseigenschaften an. Ein Leistungselement (1) ist auf einem Metallblock (3) angeordnet und mit diesem durch ein Verbindungsmaterial (9) verbunden. Ein isolierendes Substrat (4) besteht aus einem Keramiksubstrat (6) und Metallschichten (5, 7), die auf beiden Oberflächen des Keramiksubstrats (6) ausgebildet sind und einander entsprechende Dicken aufweisen. Der Metallblock (3) und das isolierende Substrat (4) sind pro Isoliereinheit des Leistungselements (1) vorgesehen. Die Metallschicht (5) des isolierenden Substrats (4) ist durch ein Verbindungsmaterial (10) mit einer Oberfläche des Metallblocks (3) verbunden, die der Oberfläche desselben zum Bilden des Leistungselements (1) entgegengesetzt ist. Ein Elektrodenanschluß (2n) ist an einer Oberfläche eines Metallblocks (3n) angebracht, mit der ein Leistungselement (1n) durch Ultraschallverbindung oder dergleichen verbunden ist. Elektrodenanschlüsse (2b, 2c) sind mit nicht gezeigten Elektroden des Leistungselements durch Aluminiumdrähte (8) verbunden. Das Leistungselement (1), die Elektrodenanschlüsse (2a, 2b, 2c) und der Metallblock (3) sind in eine Harzkapselung (11) eingekapselt, während die Metallschicht (7) des isolierenden Substrats (4) freiliegend bleibt. Eine nicht gezeigt externe Wärmeabführungseinrichtung ist an der freiliegenden Metallschicht (7) des isolierenden Substrats (4) angebracht.
申请公布号 DE10149580(A1) 申请公布日期 2002.09.05
申请号 DE2001149580 申请日期 2001.10.08
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 SHINOHARA, TOSHIAKI
分类号 H01L23/34;H01L23/36;H01L23/373;H01L23/433;H01L23/495 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人
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