| 主权项 |
1.一种用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,该方法至少包含下列步骤:放置一基材于一CVD反应器中;启始沉积一层双相材料,经由同时引入一前驱气体及分子氧进入该CVD反应器中,该分子氧系于110-6及110-4托耳间之压力;于低于或等于该沉积温度之温度下回火该层,以转变该双相材料为单相,以产生一实质降低表面粗糙度及改变晶粒结构之薄膜。2.一种用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,该方法至少包含下列步骤:溅镀一耐火金属于一基材上,经由引入分子氧于110-6及110-4托耳间之压力,以于基材上取得耐火金属之双相表面;于80℃或以上之范围温度回火该层,以转变该双相材料为单相,以产生一实质降低表面粗糙度及改变晶粒结构之薄膜。3.如申请专利范围第1项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之耐火材料系由包含钼,铌,钽及钨之群体中选出。4.如申请专利范围第1项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之耐火材料为钨。5.如申请专利范围第3项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之CVD前驱物气体包含六羰基钨。6.如申请专利范围第1项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之基材包含矽,二氧化矽或氮化矽。7.如申请专利范围第3项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之基材包含矽,二氧化矽或氮化矽。8.如申请专利范围第4项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之基材包含矽,二氧化矽或氮化矽。9.如申请专利范围第2项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之耐火金属系由包含钼,铌,钽及钨群组选出。10.如申请专利范围第2项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之耐火金属为钨。11.如申请专利范围第2项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之基材包含矽,二氧化矽或氮化矽。12.如申请专利范围第10项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之基材包含矽,二氧化矽或氮化矽。13.如申请专利范围第1项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之沉积系完成于200℃至600℃范围间之一温度中。14.如申请专利范围第13项所述之用以生产一耐火金属材料薄膜之平滑表面的方法,其中上述之耐火金属系钨,该基材包含矽,二氧化矽,或氮化矽及该CVD前驱气体包含六羰基钨。图式简单说明:第1图为于先前技艺中之以标准CVD沉积钨之放大影像。第2图为以本发明之标准CVD沉积之钨薄膜放大影像。第3图为以先前技艺经由标准CVD沉积钨薄膜之更详细影像。第4图为依据本发明之标准CVD沉积之钨膜之更详细放大影像。第5图为于第4图中所述之样品回火后之X线绕射频谱图。第6A图为一耐火金属之侧视图,示出先前技艺之钨表面。第6B图为一耐火金属之侧视图,示出本发明之钨表面。 |
