| 主权项 |
1.一种清洁装置,包括:一清洁箱,其中构成的处理空间用于存放处理物件;一液体贮槽用于储存清洁液供处理该物件;一供应管用于供应该清洁液从该液体贮槽至该清洁箱;及一回收管用于回收该清洁液从该清洁箱至该液体贮槽,其中该清洁箱,该液体贮槽,该供应管及该回收管系相互关联构成一密闭清洁液循环管路,及其中与流过该物件的该液体的层流方向垂直的一该处理空间的断面积系预设为垂直于该方向的该物件断面积的最大値的数倍。2.如申请专利范围第1项之清洁装置,另外包括一回收液体供应系统用于供应回收液至该清洁箱而不曝露该回收液于外部空气,以便回收该液体贮槽中的该清洁液。3.如申请专利范围第1项之清洁装置,另外包括:一冲洗流体供应系统用于供应冲洗流体至该清洁箱而不曝露该冲洗流体于外部空气;一乾燥流体供应系统用于供应一乾燥流体至该清洁箱而不曝露该乾燥洗流体于外部空气;及供应控制装置用于控制以便选择连续供应该流体之一至各种该流体的该清洁箱。4.如申请专利范围第3项之清洁装置,其中该冲洗流体供应系统及该乾燥流体供应系统连接该清洁液循环管,至该冲洗流体及该乾燥流体经清洁液循环管供应至该清洁箱。5.如申请专利范围第4项之清洁装置,另外包括一第二液体贮槽用于储存残留液处理清洁液用来取代残留该清洁液循环管中的该冲洗流体用的该清洁液,及其中构成一密闭残留液处理∕循环管用于让残留液处理清洁液流过该清洁液循环管而不曝露该残留液处理清洁液于外部空气,以便回收该第二液体贮槽中的该残留液处理清洁液。6.如申请专利范围第5项的之清洁装置,其中该残留液处理∕循环通路备有一傍通管用于傍通该清洁箱以便让残留液处理清洁液流动。7.如申请专利范围第6项之清洁装置,另外包括一只供乾燥流体用的管只用于供应乾燥流体至该清洁箱。8.如申请专利范围第1项之清洁装置,其中该预设倍数的范围从约1.5倍至约300倍。9.如申请专利范围第1项的之清洁装置,其中该液体贮槽包括复数个贮槽用于分别储存复数个各种清洁液之贮槽,其数量相当于黏结在该处理物件的表面上复数个沉积的种类。10.如申请专利范围第1项之清洁装置,其中该物件系一片板,及另外包括流体引导装置用于让该清洁液平行流至该板表面。11.如申请专利范围第10项之清洁装置,其中该流体引导装置具有扩散平面清洁液注入件连接该清洁箱流体入口,及收敛平面清洁液排放件连接该清洁箱流体出口。12.如申请专利范围第1项之清洁装置,另外包括涡流形成装置用于促进该清洁液流经该清洁箱中产生涡流。13.如申请专利范围第12项之清洁装置,其中该涡流形成装置系为一音波发射器用来照射音波于该物件表面。14.如申请专利范围第13项之清洁装置,其中该音波发射器包括一超音波元件用来产生超音波,及一缓冲槽用来传播由该超音波元件产生的超音波。15.如申请专利范围第12项之清洁装置,其中该涡流形成装置包括一不规则部份位于该清洁箱的一内壁表面上。16.一种清洁系统,其中多数单元清洁装置系以垂直,横向及纵向之一方向配置,该单元清洁装置,包括:一清洁箱,其中构成的处理空间用于存放处理物件;一液体贮槽用于储存清洁液供处理该物件;一供应管用于供应该清洁液从该液体贮槽至该清洁箱;及一回收管用于回收该清洁液从该清洁箱至该液体贮槽,其中该清洁箱,该液体贮槽,该供应管及该回收系相互关联构成一密闭清洁液循环管路,及其中与流过该物件的该液体的层流方向垂直的一该处理空间的断面积系预设为垂直于该方向的该物件断面积的最大値的数倍。17.一种处理装置,包括:一传送室,能保持气密;一负载锁定室,气密连接该传送室用于从外部投入∕排出处理元件;至少一真空处理室,经由传送口气密连接该传送室;一清洁室,经由传送口气密连接该传送室;传送装置,位于该传送室内,用来于该负载锁定室,该真空处理室及该清洁装置之间传送该物件,该清洁装置包括:一清洁箱,其中构成一处理空间用于存放处理元件;一液体贮槽,用于储存处理该元件用的清洁液;一供应管路,用来供应该清洁液从该液体贮槽至该清洁箱;及一回流管路,用来回收该清洁液从该清洁箱至该液体贮槽,其中该清洁箱,该液体贮槽,该供应管路及该回流管路系互相关联形成密闭清洁液循环管路,及其中与流过该物件的该液体的层流方向垂直的该处理空间的断面积系预设为垂直该方向的该物件断面积的最大値的数倍。18.一种清洁方法,其中一清洁液供应系从储存该清洁液的液体贮槽至一清洁箱,该清洁箱具有一处理空间,其中与流过该物件的该液体的层流方向垂直的该处理空间的断面积系预设为垂直该方向的处理物件断面积的最大値的数倍,用于处理该元件,及清洁液回流至液体贮槽以便循环该清洁液而不曝露于外部空气。19.如申请专利范围第18项之清洁方法,其中相当于黏结该物件表面的复数个沉积种类的复数个清洁液种类分别依次序供应作为处理该物件的该清洁液。20.如申请专利范围第19项之清洁方法,其中该清洁液包括保护罩拆除液用来拆除保护罩,及侧壁保护层拆除液用来拆除利用该保护罩作为乾蚀刻该物件的遮盖时黏结蚀刻层侧壁的侧壁保护层,及该保护罩拆除液系在该侧壁保护层拆除液供应至该物件之后供应至该物件。21.如申请专利范围第18项之清洁方法,其中处理的该物件上面已形成一铜配线层。22.如申请专利范围第18项之清洁方法,其中一回收液供应至该清洁箱而不曝露于外部空气,及该清洁液于该液体贮槽内回收。23.如申请专利范围第18项之清洁方法,其中残留液处理清洁液用于处理积留在清洁液循环管中的残留液,为了循环该清洁液储存在第二液体贮槽内,及该残留液处理清洁液供应不必曝露于外部空气,以便在该第二液体贮槽内回收该残留液处理清洁液。24.如申请专利范围第18项之清洁方法,另外包括:供应一冲洗流体至该清洁箱而不曝露该冲洗流体于外部空气的一冲洗步骤,冲洗该清洁液之一,以便完成该物件处理;及供应乾燥流体至该清洁箱而不曝露该乾燥流体于外部空气的乾燥步骤,以便乾燥该冲洗流体。25.如申请专利范围第18项之清洁方法,其中该物件系一片板,及容许该清洁液平行流至该板表面。26.如申请专利范围第18项之清洁方法,其中该物件于该清洁箱中该清洁液形成涡流时处理。图式简单说明:图1为一简图显示根据本发明的一种清洁系统的外观;图2为图1所示清洁系统的部份方块图;图3为用于图1所示清洁系统的清洁装置实例的断面图;图4为图3所示清洁系统的平面图;图5为根据本发明的一种清洁方法的流程图;图6为涡流装置修改实例的断面图;图7为固定装置的固定机构的修改实例的断面图;图8为根据本发明的一种清洁系统的修改实例的方块图;图9使用图8所示清洁系统方法流程图;图10(A),10(B)及10(C)为传统蚀刻方法说明简图;图11为传统清洁装置实例简图;图12为一平面图显示清洁箱清洁液入口部份及清洁箱清洁液出口部份;图13为一断面图显示清洁箱清洁液入口部份及清洁箱清洁液出口部份;图14为图1所示清洁系统另外实例的部份方块图;图15为图1所示清洁系统另外实例的部份方块图;图16为图15所示清洁系统的说明图;及图17为处理装置平面图,其中清洁装置合并成一体。 |
