| 主权项 |
1.一种加工基板之方法,其包含的步骤有:a.保持超临界二氧化碳及水溶性氟化物与基板接触,该基板含有一个二氧化矽表面其支撑着选自光阻剂、光阻剂残余物、蚀刻残余物及彼之组合之材料,使得水溶性氟化物由该材料下切至二氧化矽,藉而该材料变成切下的材料;b.保持水及超临界二氧化碳与切下的材料接触以致切除材料自二氧化矽表面分离出来,藉以切下的材料变成分离的材料;以及c.将分离的材料自基板周围除去。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该水溶性氟化物系选自水溶性氟化铵、氢氟酸及彼之混合物。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该水溶性氟化物系选自水溶性氟化铵。4.如申请专利范围第1项之方法,其中分离材料自基板之除去步骤包含在基板上流通超临界二氧化碳。5.如申请专利范围第1项之方法,其还包含利用溶剂溶解大部份切下材料之步骤。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该溶剂系选自丁内酯、二甲基亚、醋酸、碳酸次乙酯、二甲基乙醯胺、N-甲基-2-咯烷酮及彼之混合物。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该溶剂系选自丁内酯、二甲基亚、醋酸、碳酸次乙酯及彼之混合物8.如申请专利范围第7项之方法,其中该溶剂系丁内酯。9.如申请专利范围第1项之方法,其还包含利用溶剂溶解大部份分离材料之步骤。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该溶剂系选自丁内酯、二甲基亚、醋酸、碳酸次乙酯、二甲基乙醯胺、N-甲基-2-咯烷酮及彼之混合物。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该溶剂系选自丁内酯、二甲基亚、醋酸、碳酸次乙酯及彼之混合物。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该溶剂系丁内酯。13.如申请专利范围第1项之方法,其还包含在超临界二氧化碳及冲洗剂中冲洗基板之步骤。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该冲洗剂包含水。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该冲洗剂包含醇。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该醇包含乙醇。17.如申请专利范围第13项之方法,其中该冲洗剂包含丙酮。18.如申请专利范围第1项之方法,其中该基板包含低介电常数材料。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该低介电常数材料包含旋压聚合物。20.如申请专利范围第18项之方法,其中该低介电常数材料包含碳-二氧化矽材料。21.一种自二氧化矽表面除去材料之方法,该材料系选自光阻剂、光阻剂残余物、蚀刻残余物及彼之组合,该方法包含之步骤有:a.保持超临界二氧化碳及水溶性氟化物与该材料及二氧化矽表面接触以致水溶性氟化物由该材料下切至二氧化矽;b.保持水及超临界二氧化碳与切下的材料接触以致切除材料自二氧化矽表面分离出来;以及c.将分离的材料自二氧化矽旁边除去。22.一种加工基板之方法,其包含的步骤有:a.保持超临界二氧化碳、胺及溶剂与基板表面上之材料接触,该材料选自光阻剂、光阻剂残余物、蚀刻残余物及彼之组合之材料,因此胺及溶剂将溶解大部份之材料;以及b.将分离的材料自基板周围除去。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该胺包括二级胺。24.如申请专利范围第22项之方法,其中该胺包括三级胺。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该三级胺系选自2-甲基胺基乙醇、五甲基二乙撑三胺、三乙醇胺、三乙胺及彼之混合物。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该胺系选自2-甲基胺基乙醇、五甲基二乙撑三胺、三乙醇胺及彼之混合物。27.如申请专利范围第22项之方法,其中该溶剂系选自二甲基亚、碳酸次乙酯、N-甲基-2-咯烷酮、乙醯丙酮、丁内酯、醋酸、二甲基乙醯胺、碳酸次丙酯及彼之混合物。28.如申请专利范围第22项之方法,其中该胺系选自二级胺、三级胺、二异丙胺、三异丙胺、缩二乙二醇胺及彼之混合物。29.如申请专利范围第22项之方法,其还包含利用超临界二氧化碳及冲洗剂冲洗基板之步骤。30.如申请专利范围第29项之方法,其中该冲洗剂包含水。31.如申请专利范围第29项之方法,其中该冲洗剂包含醇。32.如申请专利范围第31项之方法,其中该醇包含乙醇。33.如申请专利范围第29项之方法,其中该冲洗剂包括丙酮。34.一种加工基板表面上具有一种材料之基板之方法,该材料系选自光阻剂、光阻剂残余物、蚀刻残余物及彼之组合,该方法包含的步骤有:a.保持超临界二氧化碳、胺及溶剂与该材料接触使得胺及溶剂溶解大部份之材料;以及b.自基板周围除去该材料。35.一种加工基板之方法,其包含的步骤有:a.保持超临界二氧化碳、三级胺及溶剂与基板表面上之材料接触,该材料选自光阻剂、光阻剂残余物、蚀刻残余物及彼之组合,使得该材料大部份被溶解;以及b.自基板周围除去该材料。图式简单说明:图1列示接着离子注入之后并且在光阻剂除去之前的一个先前技艺之n-p-n场效电晶体结构。图2列示接着反应性离子蚀刻之后并且在光阻剂和残余物除去之前的第一种导通孔结构。图3列示接着反应性离子蚀刻之后并且在光阻剂和残余物除去之前的第二种导通孔结构。图4列示接着反应性离子蚀刻之后并且在残余物除去之前的先前技艺之金属线结构。图5列示接着反应性离子蚀刻之后并且在光阻剂和残余物除去之前的先前技艺之双重蚀刻结构。图6系列示本发明较佳方法之流程图。图7列示本发明之较佳加工系统。图8系本发明之时程。 |
