| 主权项 |
1.一种弹性体成形品,系将包括有利用烧分析法 之杂质金属含有量为300ppm以下且平均粒径700m以 下之碳黑填料与交联性弹性体成份之交联性弹性 体组合物施行交联成形而得,该成形品其利用烧 分析法之杂质金属含有量在100ppm以下,且利用氧电 浆照射之微粒增加率在500%以下,其中交联性弹性 体成份系含氟系弹性体或含矽系弹性体。2.如申 请专利范围第1项所述之弹性体成形品,其中碳黑 填料系石墨化碳黑填料。3.如申请专利范围第2项 所述之弹性体成形品,其中碳黑填料的平均粒径为 10-100m。4.如申请专利范围第1项所述之弹性体成 形品,其中相对于交联性弹性体成份100重量份而言 ,系掺合有上述碳黑填料1-150重量份。5.如申请专 利范围第1项所述之弹性体成形品,其中相对于交 联性弹性体成份100重量份而言,系含有交联剂0.05- 10重量份以及上述碳黑填料1-150重量份。6.如申请 专利范围第1项所述之弹性体成形品,其中交联性 弹性体成份系为可与过氧化物交联的含氟系弹性 体。7.如申请专利范围第1项所述之弹性体成形品, 其中交联性弹性体成份系为可进行咪唑交联、恶 唑交联、唑交联或三交联之含氟系弹性体。8 .如申请专利范围第6项所述之弹性体成形品,其中 交联剂系有机过氧化物。9.如申请专利范围第7项 所述之弹性体成形品,其中交联剂系为具有至少2 个如以下式(I)中所示之官能基(I)的化合物: (式中,R1为OH、NH2或SH其中的1种)。10.如申请专利范 围第1.2.3.4.5.6.7.8或9项中任一项所述之弹性体成形 品,其中该成形品系使用在半导体制造装置上。11. 如申请专利范围第10项所述之弹性体成形品,其中 该成形品系用来作为密封半导体制造装置之封装 材。12.如申请专利范围第11项所述之弹性体成形 品,其中该成形品系在乾式制程中使用来作为密封 半导体制造装置之封装材。13.一种弹性体成形品, 系将包括有利用烧分析法之杂质金属含有量为 300ppm以下且平均粒径700m以下之碳黑填料与交联 性弹性体成份之交联性弹性体组合物施行交联成 形而得,该成形品其利用烧分析法之杂质金属含 有量在100ppm以下,且利用50%氢氟酸之杂质金属萃取 量在500ppb以下,其中交联性弹性体成份为含氟系弹 性体或含矽系弹性体。14.如申请专利范围第13项 所述之弹性体成形品,其中碳黑填料之利用烧分 析法之杂质金属含有量在100ppm以下。15.如申请专 利范围第14项所述之弹性体成形品,其中碳黑填料 的平均粒径为500-700m。16.如申请专利范围第13项 所述之弹性体成形品,其中相对于交联性弹性体成 份100重量份而言,系掺合有上述碳黑填料1-150重量 份。17.如申请专利范围第13项所述之弹性体成形 品,其中相对于交联性弹性体成份100重量份而言, 系含有交联剂0.05-10重量份以及上述碳黑填料1-150 重量份。18.如申请专利范围第13项所述之弹性体 成形品,其中交联性弹性体成份系为可与过氧化物 交联的含氟系弹性体。19.如申请专利范围第13项 所述之弹性体成形品,其中交联性弹性体成份系为 可进行咪唑交联、恶唑交联、唑交联或三交 联之含氟系弹性体。20.如申请专利范围第18项所 述之弹性体成形品,其中交联剂系有机过氧化物。 21.如申请专利范围第19项所述之弹性体成形品,其 中交联剂系为具有至少2个如以下式(I)中所示之官 能基(I)的化合物: (式中,R1为OH、NH2或SH其中的1种)。22.如申请专利范 围第13.14.15.16.17.18.19.20或21项中任一项所述之弹性 体成形品,其中该成形品系使用在半导体制造装置 上。23.如申请专利范围第22项所述之弹性体成形 品,其中该成形品系用来作为密封半导体制造装置 之封装材。24.如申请专利范围第23项所述之弹性 体成形品,其中该成形品系在湿式制程中使用来作 为密封半导体制造装置之封装材。25.如申请专利 范围第24项所述之弹性体成形品,其中该成形品系 在使用超纯水之湿式制程中使用来作为密封半导 体制造装置之封装材。 |
