| 摘要 |
<p>본 발명의 반도체 장치(2)는, 리드 프레임(3), 절연 테이프 층(4), 다수의 전도성 접점(48) 및 반도체 다이(5)를 포함하며, 상기 리드 프레임(3)은 다수의 리드(30)를 구비하고, 상기 절연 테이프 층(4)은 리드(30) 상에 부착된 제1접착면 (40)과 상기 제1접착면(40)에 대향하는 제2접착면(42)을 가지며, 상기 절연 테이프 층(4)에는 상기 리드(30)가 어세스되는 대응 위치에 다수의 홀(44)이 형성되고, 상기 각각의 홀(44)은 접점 수용공간을 형성하기 위하여 상기 리드(30)중 대응하는 하나와 협력하는 벽(46)에 의해서 한정되며, 상기 전도성 접점(48)은 각각 접점 수용공간 내에 위치되고, 상기 다이는 절연 테이프 층(4)의 제2접착면(42) 상에 접착된 다이 장착면을 가지며, 상기 다이 장착면(52)은 리드 프레임(3)의 리드(30)와 전기적 접속을 이루기 위해 전도성 접점(48)에 부착된 다수의 전도성 패드(50)를 구비한다.</p> |
