| 摘要 |
<p>싱크로너스 DRAM 은 데이터 패드 열내에 형성된 다수의 데이터 패드, 각 데이터 패드로부터 신호를 래치하기 위한 다수의 데이터 래치회로를 구비하고, 이들 데이터 래치회로는 데이터 패드열을 통과하는 제 1 직선에 수직이고 데이터 패드 열의 일단을 통과하는 제 2 직선과, 제 2 직선에 평행이고 데이터 패드 열의 타단을 통과하는 제 3 직선으로 둘러싸인 영역에 배치된다. 다수의 데이터 래치회로로부터 내부클럭신호 생성회로 까지의 배선길이는 동일하도록 형성되고, 각 초단회로에서 각 데이터 래치회로까지의 배선 길이는 내부클럭신호 생성회로로부터 데이터 래치회로까지의 배선길이와 동일하게 되도록 형성되고, 초단회로, 데이터 래치회로, 및 내부클럭신호 생성회로는 외부전원으로부터 강하된 전압으로 작동된다.</p> |
