| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 자기정렬적인 콘택공정으로 인한 소자의 특성 열화를 방지하는 동시에 콘택 공정을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 반도체기판 상부에 도전배선을 형성하고 상기 도전배선을 포함한 전체표면상부에 질화막을 일정두께 형성한 다음, 체표면상부에 하부 제1층간절연막을 형성하고 상기 하부 제1층간절연막을 에치백하여 상기 도전배선 간에만 일정두께 남긴 다음, 전체표면상부에 상부 제1층간절연막을 적층하여 평탄화시키고 상기 반도체기판을 노출시키는 랜딩 플러그 콘택 ( landing plug contact, LPC ) 공정으로 콘택홀을 형성하되, 건식방법으로 상기 제1층간절연막을 경사식각하고 습식식각방법으로 상기 제1층간절연막을 식각한 다음, 반도체기판 표면의 상기 질화막을 식각하고 상기 반도체기판에 접속되는 랜딩 플러그 폴리 ( landing plug contact, LPP ) 를 형성함으로써 이웃하는 도전층과의 브릿지 현상을 억제하고 반도체기판의 손상을 최소화하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.</p> |
