| 发明名称 |
Methode zur Herstellung eines Dünnfilm-Transistors mit invertierter Struktur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69525558(T2) |
申请公布日期 |
2002.08.22 |
| 申请号 |
DE19956025558T |
申请日期 |
1995.04.20 |
| 申请人 |
NEC CORP., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
KOIDE, SHIN;OHI, SUSUMI C/O NEC CORPORATION |
| 分类号 |
H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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