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Zusätzlich zu einem in einem Halbleiterchip vorhandenen Kanalbereich (5) ist ein mit Ladungsträgern dotierter Bereich (17) auf der von diesem Kanalbereich abgewandten Seite einer Gate-Elektrode (6) vorhanden. Dieser dotierte Bereich ist vorzugsweise so in der Oberflächepassivierung (15, 16) ausgebildet, dass bei einer Entfernung der Oberflächepassivierung die vorhandene Dotierung in solchem Umfang reduziert wird, dass sich ein wesentlicher Effekt auf die Wirkungsweise des Feldeffekttransistors ergibt, der detektiert werden kann.
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