ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH A PHOTOSTRUCTURED GATE DIELECTRIC, METHOD FOR THE PRODUCTION AND USE THEREOF IN ORGANIC ELECTRONICS

摘要

Die Erfindung betrifft einen organischen Feldeffekt-Transistor der sich insbesondere durch eine vernetzte und strukturierte Isolatorschicht (4) auszeichnet, auf welcher die Gate-Elektrode (5) angeordnet ist. Der Aufbau des OFETs garantiert, dass die Gate-Elektrode (5) eines OFETs gleichzeitig als Leiterbahn zur Source-Elektrode (2) eines nächsten Transistors und damit zum Aufbau grösserer Schaltungen genutzt werden kann.