| 摘要 |
<p>본 발명은, 다수의 메모리 셀(1)로 이루어진 메모리 셀 필드(11), 워드 라인(3)에 결합된 어드레싱 회로 및 센스 라인(4)에 결합된 평가 회로를 포함하며, 상기 메모리 셀(1)은 워드 라인(3)과 센스 라인(4)의 교차점에서 매트릭스 형태로 배치되고, 상기 셀의 논리적인 데이터 내용은 자기적 상태에 의해서 규정되며, 상기 어드레싱 회로에 의해서는, 데이터 내용이 판독 출력되어야 하는 하나 이상의 선택된 메모리 셀(1)의 워드 라인(3)에 판독 전압(V)이 공급되며, 상기 평가 회로에 의해서는, 선택된 메모리 셀(들)의 데이터 내용에 상응하는 신호가 검출 및 평가되며, 이 경우 상기 평가 회로는 비교 회로(16)를 포함하고, 상기 비교 회로에 의해서는 기준 소자로부터 제공되는 기준 신호(Vr)가 판독 출력될 메모리 셀(들)의 센스 신호(Vs)와 비교되도록 구성된, 선택적(optional) 액세스 타입 자기 기억 장치(MRAM)에 관한 것이다.</p> |
