| 主权项 |
1.一种由具耦合效应产生一预期讯号变动的记忆体阵列之阵列晶胞感测读取讯号的方法,该方法至少包含:提供一具一参考晶胞之参考端元件,该参考端可产生耦合效应;加一电压于该阵列和于该参考端元件,因此产生一具耦合效应之晶胞讯号和一具耦合效应之参考讯号;及因该晶胞讯号和该参考讯号的差异,产生一感测讯号,因此藉由同时在记忆阵列端与参考位元端一起产生耦合效应,使得两边的耦合效应可互相抵补消除。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该参考端元件包含一解码器可选择该参考晶胞的位置。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该参考端元件包含一耦合电容以产生耦合效应。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述该耦合电容产生一讯号变动。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述因该晶胞讯号和该参考讯号的差异,产生该感测讯号的步骤至少包含:放大该参考讯号和该晶胞讯号;产生一差异讯号,该差异讯号代表该放大的晶胞讯号和该放大的参考讯号的差异;及转换该差异讯号为一逻辑讯号。6.一种由具耦合效应产生一第一讯号变动的唯读记忆体阵列之阵列晶胞感测读取讯号的方法,该方法至少包含:提供一具一参考晶胞之参考端元件,该参考端可产生耦合效应;加一电压于该阵列和于该参考端元件,因此产生一晶胞讯号具该第一讯号变动和一具一第二讯号变动之参考讯号;因该晶胞讯号和该参考讯号的差异,产生一差异讯号;及转换该差异讯号为一逻辑讯号,因此藉由同时在记忆阵列端与参考位元端一起产生耦合效应,使得两边的耦合效应可互相抵补消除。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述该参考端元件包含一解码器可选择该参考晶胞的位置。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述该参考端元件包含一耦合电容以产生该第二讯号变动。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述该因该晶胞讯号和该参考讯号的差异,产生该差异讯号的步骤至少包含:放大该参考讯号和该晶胞讯号;及产生该差异讯号,该差异讯号代表该放大的晶胞讯号和该放大的参考讯号的差异。10.一种金属位元线耦合效应的追寻方法,用于由具耦合效应产生一第一讯号变动的唯读记忆体阵列之阵列晶胞感测读取讯号的方法,该方法至少包含:提供一具一参考晶胞之参考端元件,该参考端利用一耦合电容产生耦合效应来产生一第二讯号变动;加一电压于该阵列和于该参考端元件,因此产生一晶胞讯号具该第一讯号变动和一参考讯号具该第二讯号变动;比较该晶胞讯号和该参考讯号,因该晶胞讯号和该参考讯号的差异,产生一感测讯号;判断该感测讯号以决定该感测讯号的一逻辑讯号;及转换该感测讯号为该逻辑讯号,因此藉由同时在记忆阵列端与参考位元端一起产生位元线耦合效应,使得两边的耦合效应可互相抵补消除。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述该参考端元件包含一解码器可选择该参考晶胞的位置。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述因该晶胞讯号和该参考讯号的差异,产生该感测讯号的步骤至少包含:放大该参考讯号和该晶胞讯号;及产生该感测讯号,该感测讯号代表该放大的晶胞讯号和该放大的参考讯号的差异。13.如申请专利范围第10项之方法,其中上述该判断该感测讯号以决定该感测讯号的该逻辑讯号的步骤包含当该晶胞讯号大于该参考讯号,则决定该逻辑讯号为抹除状态。14.如申请专利范围第10项之方法,其中上述该判断该感测讯号以决定该感测讯号的该逻辑讯号的步骤包含当该晶胞讯号小于该参考讯号,则决定该逻辑讯号为程式化状态。图式简单说明:第一图系本发明较佳实施例之记忆体晶胞和感测放大器示意图;第二图系参考端部分Y解码器的示意图;第三A图系相邻金属位元线产生耦合效应之示意图;及第三B图系记忆体阵列中相邻金属位元线耦合效应之示意图 |
