| 主权项 |
1.一种制造超高纯度(UHP)六氟化钨之方法,包括: a)将相当数量的粗制六氟化钨引至蒸发程序以便 分离成为相当数量之含有六氟化钨之挥发性不纯 物及相当数量之非挥发性金属之不纯物; b)将相当数量的含有六氟化钨之挥发性不纯物通 至气相吸附程序以便分离成为相当数量之半粗制 六氟化钨产物及相当数量之氟化氢成为经吸附之 残渣;以及 c)将相当数量的半粗制六氟化钨产物通至UHP气体 喷散系统以便分离成为非挥发性UHP六氟化钨产物 。2.如申请专利范围第1项之方法,另外包括提供真 空来分离该非挥发性UHP六氟化钨产物。3.如申请 专利范围第1项之方法,其中粗制六氟化钨含有大 于lppmv之氟化氢不纯物。4.一种自六氟化钨中移除 氟化氢之方法,包括: a)将相当数量的粗制六氟化钨通至气相吸附程序 以便分离成为相当数量之半粗制六氟化钨产物及 相当数量之氟化氢成为经吸附之残渣;及 b)将相当数量之半粗制六氟化钨产物通至使用UHP 氦之UHP气体喷散系统以便分离成为非挥发性UHP六 氟化钨产物。5.如申请专利范围第4项之方法,其中 将相当数量之六氟化钨在步骤中亦分离成为相当 数量之非挥发性氟化矽不纯物。6.一种制造超高 纯度(UHP)六氟化钨之方法,包括: a)将相当数量的粗制六氟化钨引至蒸发程序以便 分离成为相当数量之含有六氟化钨之挥发性不纯 物及相当数量之金属不纯物成为经吸附之残渣; b)将相当数量之含有六氟化钨之挥发性不纯物通 至气相吸附程序以便分离成为相当数量之半粗制 六氟化钨产物及相当数量之氟化氢非挥发性不纯 物;及 c)在真空条件下,使半粗制六氟化钨产物气化而移 除相当数量之挥发性不纯物。7.如申请专利范围 第6项之方法,其中粗制六氟化钨含有大于lppmv之氟 化氢不纯物。8.如申请专利范围第6项之方法,其中 气相吸附程序使用氟化钠吸附床。9.如申请专利 范围第6项之方法,其中气相吸附程序使用氟化钾 吸附床。图式简单说明: 第1图提供用于制造本发明中六氟化钨之半批式纯 化程序的示意图;及 第2图提供用于制造本发明中六氟化钨之连续纯化 程序的示意图。 |
