| 摘要 |
<p>본 발명은 액티브 영역의 가장자리 부분에서 누설전류 발생되는 것을 방지하기 위한 새로운 구조의 에스오아이(SOI : Silicon On Insulator) 소자 및 그의 제조방법에 개시하며, 개시된 본 발명의 에스오아이 소자는, 베이스 기판, 매몰산화막 및 반도체층의 적층 구조로 이루어진 에스오아이 기판; 액티브 영역을 한정하도록, 필드 영역에 해당하는 반도체층 부분에 상기 매몰산화막과 접하도록 형성된 산화막; 상기 액티브 영역 상에 형성된 게이트 산화막을 갖는 게이트 전극 패턴; 상기 게이트 전극 패턴 양측의 상기 반도체층의 액티브 영역 내에 형성된 소오스 및 드레인 영역; 일렬로 배열된 액티브 영역들에 각각 형성된 게이트 전극 패턴들간을 연결하도록, 상기 게이트 전극 패턴 상부 및 필드 영역 상부에 형성된 게이트 전극 라인을 포함하여 이루어진다.</p> |
