| 摘要 |
<p>SRAM과 같은 게이트 전극을 이용하는 반도체 장치에서, 복잡한 레이 아웃 설계를 통하지 않고 레티클 패턴에 게이트 전극 패턴이 충실하게 형성되고, 또한 이 게이트 전극 패턴의 면적이 종래보다 감소되어 형성되는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 실질적으로 직선형의 게이트 전극 패턴(101, 101')을 포함한 레티클 패턴(110)을 이용하여 리소그래피 공정을 행할 때에, 레티클 패턴의 트랜지스터 영역간의 콘택트 영역은 적어도 일부 배치되는 돌출부(100)를 직선 형상의 게이트 전극 패턴의 장변의 거의 중앙에 형성하고, 또한 적어도 상기 돌출부의 돌출하는 변의 전체가 대향하도록 오목부를 돌출부의 반대측 변에 형성한다. 미세화 기술인 반도체 장치의 제조 공정에서의 패턴 충실성을 상기 오목부를 갖는 레티클 패턴에 의해 개선할 수 있다.</p> |
