在低温下对硅表面氧化物的去除和外延生长方法

摘要

本发明属于硅基半导体微电子材料技术领域,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在低压状态下,由高频感应在生长室内产生强的等离子体放电轰击Si衬底表面,等离子体轰击Si表面温度低,使Si表面氧化物在低温度下即可分解,实现去除Si表面氧化层作用。提供一种在低真空、在低温下对硅表面氧化物的去除和/或外延生长方法。实现了等离子体轰击后露出的新Si表面上生长出高质量ZnS,ZnS和ZnSe/ZnS等宽带II－VI族半导体外延层和量子阱结构。

主权项

1、在低温下对硅表面氧化物的去除方法，其特征在于：Si表面氧化物处理在低压MOCVD条件下进行，首先将抛光的半导体Si外延生长的硅衬底清洗后，放入生长室中的石墨舟上；再由机械泵协助使生长室内压力达到0.1-5.0Pa；然后打开高频感应电源，调节高频电压为1.2-2.0kV，频率0.3-0.5MHz，并使硅衬底温度升至320-400℃，在此条件下进行等离子体轰击硅衬底表面；轰击处理时间为0.5-2小时，使硅衬底表面的氧化物去除并重现单晶表面。