| 发明名称 | 制造晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造TFT(10)的方法,该TFT包括由半导体层(4)形成的半导体沟道(6)连接的源(8)和漏极(8'')、栅绝缘层(7)和栅电极(8')。该方法包括步骤:在支撑衬底(1)上提供包括促进晶化的材料(CEM)的箔并淀积半导体层(4);加热半导体层(4),以致使半导体层(4)从暴露于箔(2)的CEM的区域结晶。该方法可以进一步包括在箔(2)和半导体层(4)之间提供布图的阻挡层(3)的步骤,其中半导体层(4)从通过阻挡层(3)中的通孔暴露于箔(2)的CEM的区域结晶。同样公开了由相同方法制造的一种TFT(10)和有源矩阵器件(20),该有源矩阵器件(20)包括有源元件(22)的行和列阵列,其中每个元件(22)与这种TFT(10)相关,该TFT连接到相应的行(24)和列(23)导体。 | ||
| 申请公布号 | CN1365514A | 申请公布日期 | 2002.08.21 |
| 申请号 | CN01800610.8 | 申请日期 | 2001.03.13 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | D·T·穆尔利;M·J·特赖诺尔 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786;H01L21/84 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造薄膜晶体管(TFT)的方法，该薄膜晶体管(TFT)包括由半导体层形成的半导体沟道连接的源和漏电极、栅绝缘层和栅电极，该方法包括步骤：—在支撑衬底上淀积半导体层并提供包含促进结晶的材料(CEM)的一种箔；以及—加热半导体层，以致使半导体层从暴露于箔的CEM的区域结晶。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||