A METHOD TO FORM MOS TRANSISTORS WITH SHALLOW JUNCTIONS USING LASER ANNEALING,申请号SG20010004021-传众专利搜索

发明名称	A METHOD TO FORM MOS TRANSISTORS WITH SHALLOW JUNCTIONS USING LASER ANNEALING
摘要
申请公布号	SG90777(A1)	申请公布日期	2002.08.20
申请号	SG20010004021	申请日期	2001.07.02
申请人	CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD	发明人	YUNG FU CHONG;KIN LEONG PEY;ALEX SEE;ANDREW THYE SHEN, WEE
分类号	H01L21/265;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336	主分类号	H01L21/265
代理机构		代理人
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