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UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR LOGICO O CELDA DE MEMORIA. SE FORMA UN FOSO (3) EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (1) USANDO UNA MASCARA (2). EL FOSO ESTA PARCIALMENTE RELLENO CON UN MATERIAL DE ELECTRODO (5) Y SE DOPAN LAS PAREDES DEL FOSO CON LA MASCARA TODAVIA PUESTA.
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