| 发明名称 |
Kristallzuchtverfahren für Halbleiter auf Galliumnitrid-Basis. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69203736(T3) |
申请公布日期 |
2002.08.14 |
| 申请号 |
DE1992603736T |
申请日期 |
1992.01.30 |
| 申请人 |
NICHIA KAGAKU KOGYO K.K., ANAN |
发明人 |
NAKAMURA, SHUJI |
| 分类号 |
H01L21/205;C30B25/02;H01L21/20;H01L33/12;H01L33/32;H01S5/00;(IPC1-7):C30B25/02 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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