发明名称 一种低温烧结氮化铝基复相材料及其制备方法
摘要 一种低温烧结AlN基复相材料及其制备方法,涉及电子封装材料及其制造领域。其特征在于复相材料由AlN50-80,硼硅酸铅玻璃50-15,余量为LiF(wt%)组成,硼硅酸铅玻璃的组成(wt%)SiO<SUB>2</SUB>:50-75,B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>:3-17,PbO:15-29,含量为碱金属或碱土金属的氧化物。本发明采用热压烧结工艺,分三阶段升温、加压。最终保温阶段950或1000℃下,压力在18~25MPa范围,保温2~8小时。热导率最高可达11W/m·K,比文献报道的高50%。本发明具有烧结温度低、密度低、导热性能良好和成本低廉等优点,适用于低温共烧基板材料和微电子封装材料。
申请公布号 CN1363534A 申请公布日期 2002.08.14
申请号 CN02110651.7 申请日期 2002.01.25
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 张擎雪;雒晓军;李文兰;庄汉锐;严东生
分类号 C04B35/581;C04B35/582;C03C3/089;C04B35/64 主分类号 C04B35/581
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 潘振甦
主权项 1.一种低温烧结氮化铝基复相材料,其特征在于:(1)由AlN、硼硅酸铅玻璃和LiF组成,具体组成(wt%)为AlN 50-80,硼硅酸铅玻璃50-15,含量为LiF (2)硼硅酸铅玻璃的主要成分(wt%)为:SiO2:50-75,B2O3:3-17,PbO:15-29余量为碱金属或碱土金属的氧化物。
地址 200050上海市定西路1295号