| 主权项 |
1.一种制作不同厚度之闸极氧化层的方法,该制造方法至少包括下列步骤:提供一半导体基底,该基底具有复数个元件隔离结构,且该半导体基底具有一第一区域、一第二区域和一第三区域;形成一第一厚度之闸极氧化层于该半导体基底表面上之第一区域、一第二区域和一第三区域;执行一退火(Annealing)程序;去除该第三区域之该第一厚度之闸极氧化层,暴露出该半导体基底表面;形成一第二厚度之闸极氧化层于该第三区域;以及进行后段之制程。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该隔离结构可为浅沟渠隔离法(STI)。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该隔离结构可为区域氧化法(LOCOS)。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一厚度大于第二厚度。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一厚度之闸极氧化层厚度约为40埃至100埃,最佳之实施例为50埃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一厚度之闸极氧化层以热氧化法形成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该退火温度约为800℃至1050℃,最佳之实施例为900℃。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该退火程序持温约600秒至1800秒,最佳之实施例为900秒。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第二厚度之闸极氧化层以热氧化法形成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第二厚度闸极氧化层厚度约为10埃至30埃,最佳之实施例为17埃。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,去除该第三区域之该第一厚度之闸极氧化层以比例约为50:1之BOE溶液移除。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,去除该第三区域之该第一厚度之闸极氧化层与该第一氧化层可以热磷酸移除。图式简单说明:图一至图三为习知技艺制作三重闸极氧化层之流程图。图四至图五为本发明制作三重闸极氧化层之流程图。图六为习知技艺和本发明之闸极氧化层热能吸收图。 |
