| 主权项 |
1.一种处理超薄光阻层(16)的方法,包括:于半导体基板(12)上沉积该超薄光阻层(16),该超薄光阻层(16)具有小于约3,000埃的厚度;利用具有约250毫微米或更短波长的电磁辐射照射该超薄光阻层(16);使该超薄光阻层(16)显影;并在紫外光和臭氧至少其中之一的环境下,使该超薄光阻层(16)与含矽化合物接触;其中该超薄光阻层(16)与含矽化合物之接触系于照射及使该超薄光阻层(16)显影之间,或于该超薄光阻层(16)显影之后进行。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该超薄光阻层(16)具有小于约2,000埃的厚度及该电磁辐射包括至少其中之一具有约248毫微米、约193毫微米、约157毫微米、约13毫微米,约11毫微米,或1毫微米波长的光,以及电子束。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该含矽化合物为包括矽烷、六甲基二矽氨烷、三甲基矽烷基二乙胺、三甲基矽烷基二甲胺、二甲基矽烷基二乙胺、二甲基矽烷基二甲胺、四甲基二矽氨烷、三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三甲基丙氧基矽烷、三甲基乙酸基矽烷、双(二甲胺基)二甲基矽烷、双(二甲胺基)甲基矽烷、甲基二甲胺基乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷及甲基三甲氧基矽烷至少其中之一。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该含矽化合物与该超薄光阻层(16)于约50℃至约250℃的温度、约10torr至800torr的压力下,接触约10秒钟至1小时。5.一种增加超薄光阻层(16)之蚀刻阻抗的方法,包括:利用具有约250毫微米或更短波长的电磁辐射照射该超薄光阻层(16),该超薄光阻层(16)具有小于约3000埃的厚度;使该超薄光阻层(16)显影;并且在紫外光之下与在包括至少约5重量%臭氧的气氛至少其中之一,使该超薄光阻层(16)与含矽化合物接触,将矽原子掺杂至该超薄光阻层(16)中,其中该超薄光阻层与含矽化合物之接触系于照射及使该超薄光阻层(16)显影之间,或于该超薄光阻层(16)显影之后进行。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该含矽化合物为包括矽烷、六甲基二矽氨烷、三甲基矽烷基二乙胺、三甲基矽烷基二甲胺、二甲基矽烷基二乙胺、二甲基矽烷基二甲胺、四甲基二矽氨烷,三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三甲基丙氧基矽烷、三甲基乙酸基矽烷、双(二甲胺基)二甲基矽烷、双(二甲胺基)甲基矽烷、甲基二甲胺基乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷及甲基三甲氧基矽烷至少其中之一。7.如申请专利范围第5项之方法,其中在紫外光之下,使该超薄光阻层(16)与含矽化合物之接触系于该超薄光阻层(16)显影之后进行。8.如申请专利范围第5项之方法,其中在包括至少约10重量%臭氧的气氛中,使该超薄光阻层(16)与含矽化合物之接触系于照射及使该超薄光阻层(16)显影之间进行。9.一种于半导体基板(12)上使半导体层(14)图案化的方法,包括:于半导体层(14)上沉积超薄光阻(16),该超薄光阻层(16)具有小于约3,000埃的厚度;利用具有约250毫微米或更短波长的电磁辐射照射该超薄光阻层(16);使该超薄光阻层(16)显影,透过该超薄光阻层(16)的开口(22)使半导体层(14)的一部分暴露出来;并在紫外光和臭氧至少其中之一的环境下,使该超薄光阻层(16)与含矽化合物接触;其中该超薄光阻层(16)与含矽化合物之接触系于照射及使该超薄光阻层(16)显影之间,或于该超薄光阻层(16)显影之后进行;并蚀刻该半导体层(14)暴露出来的部分藉以使该半导体层(14)图案化。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该含矽化合物包括矽烷、六甲基二矽氨烷、三甲基矽烷基二乙胺、三甲基矽烷基二甲胺、二甲基矽烷基二乙胺、二甲基矽烷基二甲胺、四甲基二矽氨烷、三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三甲基丙氧基矽烷、三甲基乙酸基矽烷、双(二甲胺基)二甲基矽烷、双(二甲胺基)甲基矽烷、甲基二甲胺基乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、甲基二乙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷及甲基三甲氧基矽烷至少其中之一。图式简单说明:第1图系根据本发明方法之剖面图予以说明第2图系根据本发明方法之剖面图予以说明第3图系根据本发明方法之剖面图予以说明第4图系根据本发明方法之剖面图予以说明第5图系根据本发明方法之剖面图予以说明第6图系根据本发明方法之剖面图予以说明第7图系根据本发明方法之剖面图予以说明第8图系根据本发明方法之剖面图予以说明 |
