| 主权项 |
1.一种覆晶之晶圆级封装制程,其步骤包含:提供一晶圆,该晶圆一体成型包含有复数个晶片,每一晶片具有一焊垫、一熔丝及至少一绝缘层,该绝缘层系裸露该焊垫并具有对应于熔丝之凹孔;填充保护剂于该凹孔;形成凸块于该焊垫;移除保护剂;测试晶圆,以分辨出是否有仍可修补之不良品;雷射修补,系以雷射照射凹孔内无保护剂之熔丝;及切割晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶之晶圆级封装制程,其中在填充保护剂于该凹孔之步骤中,该保护剂系为一光阻。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶之晶圆级封装制程,其中形成凸块之前,先形成一凸块下金属层[UBM]。4.如申请专利范围第3项所述之覆晶之晶圆级封装制程,其中系以溅镀形成一凸块下金属层[UBM]。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶之晶圆级封装制程,其中系以电镀形成凸块。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶之晶圆级封装制程,其中在测试晶圆之前,预烧该晶圆。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶之晶圆级封装制程,其中在测试晶圆过程中,同时预烧该晶圆。图式简单说明:第1图:本发明覆晶之晶圆级封装制程之流程图;第2图:依本发明覆晶之晶圆级封装制程,所提供晶圆之部份截面示意图;第3图:依本发明覆晶之晶圆级封装制程,填充保护剂之部份截面示意图;第4图:依本发明覆晶之晶圆级封装制程,形成凸块下金属层之部份截面示意图;第5图:依本发明覆晶之晶圆级封装制程,形成凸块之部份截面示意图;第6图:依本发明覆晶之晶圆级封装制程,雷射修补之部份截面示意图;及第7图:美国专利第5,729,041号「运用于半导体积体电路一种熔丝窗口防护之保护膜」之截面示意图。 |
