| 主权项 |
1.一种整合铜镶嵌制程及电容制程之方法,该方法包括以下步骤:提供一半导体基板,上述基板包含电容区域以及连线区域;形成第一铜金属层于上述电容区域以及连线区域;形成一隔离层于该第一铜金属层上;于上述电容区域以及连线区域形成开口于该隔离层中,形成第二铜金属层于上述电容区域以及连线区域中之所述开口表面和该隔离层之上,由此形成冠状电容底部电极于上述电容区域之所述开口;于上述电容区域形成电容介电层该第二铜金属层上;形成第三铜金属层于该电容区之上述介电层上,及形成在连线区之上述第二金属层之上,由此完成冠状电容顶部电极;及进行平坦化制程至该隔离层,完成电容及镶嵌制程。2.如申请专利范围第1项所述之整合铜镶嵌制程及电容制程之方法,其中该介电层为Ta2O5。3.如申请专利范围第1项所述之整合铜镶嵌制程及电容制程之方法,其中该介电层为Si3N4。4.如申请专利范围第1项所述之整合铜镶嵌制程及电容制程之方法,其中该第二铜金属层或第三铜金属层以电镀法形成。5.如申请专利范围第1项所述之整合铜镶嵌制程及电容制程之方法,其中该开口形成时,同步进行上述电容区域以及连线区域之蚀刻。6.如申请专利范围第1项所述之整合铜镶嵌制程及电容制程之方法,其中该第二和该第三铜金属层系为同步形成于上述电容区域以及连线区域。7.如申请专利范围第1项所述之整合铜镶嵌制程及电容制程之方法,其中所述平坦化制程包含进行化学机械研磨至该隔离层,其中上述平坦化制程系为同步执行于上述电容区域以及连线区域。8.一种立体电容器,包括:(a)一导电层,形成于基板之上;(b)一隔离层,形成于上述导电层之上,该隔离层具有一凹槽;(c)底部电极,由导电材质组成,形成于上述之凹槽中,具凹槽之形状;(d)介电层,由绝缘材质组成,形成于上述底部电极之上,具凹槽之形状;及(e)顶部电极,由导电材质形成,形成于所述介电层之凹槽空穴中。9.如申请专利范围第8项所述之一种立体电容器,其中之底部电极由铜金属所构成。10.如申请专利范围第8项所述之一种立体电容器,其中之顶部电极由铜金属所构成。11.如申请专利范围第8项所述之一种立体电容器,其中之介电层由Ta2O5构成。12.如申请专利范围第8项所述之一种立体电容器,其中之介电层由Si3N4构成。图式简单说明:图一为根据本发明在基板上形成隔离层,第一铜金属层及开口的半导体晶圆剖面图,图左半部为电容区域,右半部为内连线区域;图二为根据本发明形成第二铜金属层的半导体晶圆剖面图,图左半部为电容区域,右半部为内连线区域;图三为根据本发明形成介电层的半导体晶圆剖面图,图左半部为电容区域,右半部为内连线区域;图四为根据本发明形成MIM冠状电容顶部电极的半导体晶圆剖面图,图左半部为电容区域,右半部为内连线区域;图五为根据本发明完成MIM冠状电容的半导体晶圆剖面图,图左半部为电容区域,右半部为内连线区域;及图六为先前技术之结构剖面图。 |
