半导体装置之制造方法

摘要

本发明系关于一种包含蚀刻钨膜及钛基膜之叠层膜之过程之半导体制造方法，其目的在于以不残留残渣之方式经常精度佳地蚀刻该叠层膜，而该叠层膜之形成方法与钛基膜之形成方法无关。本发明之解决手段为，在钛系膜18上面形成钨膜20作为配线层22。在配线层22之上面形成反射防止膜26，再在其上面形成光阻28之图样。使用SF6及C12之混合气体而蚀刻反射防止膜26。接着，使用SF6及C12之混合气体而蚀刻钨膜20。然后，使用C12与BC13之混合气体而蚀刻钛基膜18者。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,系在钨膜之下层具 备有钛基膜之半导体装置之制造方法,其特征为包 含有: 将前述钨膜用SF6及Cl2之混合气体蚀刻之步骤, 将前述钛基膜用Cl2及BCl3之混合气体蚀刻之步骤者 。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方 法,其中,在前述钨膜之蚀刻过程中,阻止BCl3流入蚀 刻之处理室内,在前述钛基膜之蚀刻过程中,阻止SF 6流入前述蚀刻之处理室内者。3.如申请专利范围 第1或2项之半导体装置之制造方法,其中,在前述钛 基膜之蚀刻过程中,将BCl3以10sccm以上40sccm以下之 流量添加于Cl2者。4.如申请专利范围第1或2项之半 导体装置之制造方法,其中,在前述钛基膜之蚀刻 过程中,将BCl3以8.3%以上33.3%以下之流量添加于Cl2 者。5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制 造方法,其中,前述钛基膜系包含有以游离金属电 浆方法形成之TiN膜及Ti膜当中之至少一方者。6.如 申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法, 其中,前述钛基膜系包含有以CVD方法形成之TiN膜及 Ti膜当中之至少一方者。图式简单说明: 图1(a)、(b)系显示说明本发明之实施形态1之半导 体装置之制造方法用之剖视图。 图2系显示在本发明之实施形态1中所使用之蚀刻 装置之概念图。