Verfahren und Vorrichtung zur Korrektur eines durch Fotoleitungseffekte eines Feldeffekttransistors bewirkten Offsets in einem Halbleiter-Röntgendetektor

摘要

Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Korrektur eines Offsets, verursacht durch Fotoleitungseffekte bei Feldeffekttransistoren 730 in Halbleiter-Röntgendetektoren 110, umfassen zugeordnete Reihen 430, 510 und 610 am Anfang und am Ende der Röntgendetektorabtastung. Die zugeordneten Reihen 430, 510 und 610 können verwendet werden zur Messung des durch die Fotoleitung der Feldeffekttransistorschalter 730 in den Halbleiter-Röntgendetektoren 110 verursachten "Signals". Da das durch die Fotoleitung der Feldeffekttransistoren 730 verursachte Signal mit der Zeit abnimmt, können Messungen zu Beginn und am Ende einer Detektorabtastung verwendet werden zur Aussage durch Interpolation des Signalsbetrags, den ein durch Fotoleitung verursachter Offset für jede Reihe 430, 510 und 610 bei der Spalte 420 für Spalte 420 durchgeführten Detektorabtastung beiträgt.