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Ein Halbleiterbauelement, welches eine Drainelektrode, eine Sourceelektrode und eine Gateelektrode auf einem Halbleitersubstrat aufweist, enthält eine Halbleiterschicht, welche auf einem Oberflächengebiet des Halbleitersubstrats gebildet ist. Die Halbleiterschicht enthält ein erstes Konzentrierungsgebiet, ein zweites Konzentrierungsgebiet, ein drittes Konzentrierungsgebiet einer Drainseite und ein drittes Konzentrierungsgebiet einer Sourceseite, eine Gateelektrode, welche auf einem Teil des ersten Konzentrierungsgebiets angeordnet ist, auf welchem die Gateelektrode gebildet wird, eine Drainelektrode, welche auf einem Teil des dritten Konzentrierungsgebiets der Drainseite angeordnet ist, und eine Sourceelektrode, welche auf einem Teil des dritten Konzentrierungsgebiets der Sourceseite angeordnet ist. Daher wird, wenn das zweite Konzentrierungsgebiet während des Erzeugens der Seitenwand eingraviert wird, die Tiefe einer Oberflächenverarmungsschicht des eingravierten Teils flach, wodurch die Kanalbeschränkung infolge der Oberflächenverarmungsschicht herabgesetzt werden kann.
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