| 发明名称 |
VERTICAL HIGH-VOLTAGE SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein vertikales Hochvolt- Halbleiterbauelement, bei dem sich lateral erstreckende Halbleiterschichten (3, 4) abwechselnden Leitungstyps über eine leitende Verbindung (5) mit einer rückseitigen Elektrode verbunden sind. Die durch diese Halbleiterschichten (3, 4) gebildete Driftstrecke des Halbleiterbauelements liegt ausserhalb des Zellbereiches und ist an diesen über ein Schaltelement angeschlossen.
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| 申请公布号 |
WO0169682(A3) |
申请公布日期 |
2002.08.08 |
| 申请号 |
WO2001DE00908 |
申请日期 |
2001.03.09 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;AHLERS, DIRK;WERNER, WOLFGANG |
发明人 |
AHLERS, DIRK;WERNER, WOLFGANG |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/808;(IPC1-7):H01L29/78;H01L27/07;H01L29/10 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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