| 摘要 |
Ein Halbleiterbauelement weist ESD-Schutzelemente (32, 33) auf, die außerhalb des Halbleiterkörpers (1) angeordnet sind und eine Bezugspotential (GDN) führende zusätzliche Leiterbahn (3) mit Leiterbahnen des Leadframes (14, 15) verbinden. Auf dem Halbleiterkörper (1) integrierte ESD-Schutzstrukturen sind nicht mehr erforderlich, der entsprechend hohe Flächenverbrauch wird gespart. |
