| 发明名称 | 静电放电防护的方法与装置及集成电路 | ||
| 摘要 | 一包括静电放电防护电路的集成电路,包括至少一组含有一第一硅晶二极管与一第二硅晶二极管的双向硅晶二极管,其中第一硅晶二极管的一n型区域与第二硅晶二极管的一p型区域电耦合,第一硅晶二极管的一p型区域与第二硅晶二极管的一n型区域电耦合,其中该至少一组双向硅晶二极管对正的静电放电或负的静电放电信号反应,以提供静电放电防护。 | ||
| 申请公布号 | CN1362742A | 申请公布日期 | 2002.08.07 |
| 申请号 | CN01144053.8 | 申请日期 | 2001.12.28 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 张智毅;柯明道 |
| 分类号 | H01L23/60;H01L29/861;H01L27/04 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶风波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种静电放电防护方法，包括：至少一组包括一第一硅晶二极管与一第二硅晶二极管的双向硅晶二极管，其中该第一硅晶二极管的一n型区域与该第二硅晶二极管的一p型区域电耦合，该第一硅晶二极管的一p型区域与该第二硅晶二极管的一n型区域电耦合，其中该至少一组双向硅晶二极管对正的静电放电或负的静电放电信号反应。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||