发明名称 近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法
摘要 本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法:采用填加K<SUB>2</SUB>O助溶剂的方法,降低铌酸锂的熔点,提高晶体的锂铌比,在熔融状态下,利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li<SUB>2</SUB>O的含量在49mol%以上,且光学质量好,适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
申请公布号 CN1362545A 申请公布日期 2002.08.07
申请号 CN01144331.6 申请日期 2001.12.17
申请人 南开大学 发明人 孔勇发;许京军;陈晓军;黄自恒;李兵;黄晖;孙骞;唐柏权;陈绍林;张玲;刘士国;张光寅
分类号 C30B29/30;C30B15/00 主分类号 C30B29/30
代理机构 天津市学苑有限责任专利代理事务所 代理人 赵尊生
主权项 1.一种近化学计量比铌酸锂晶体,其特征在于所说的晶体中Li2O的含量在49mol.%以上。
地址 300071天津市南开区卫津路94号