发明名称 | 近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法 | ||
摘要 | 本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法:采用填加K<SUB>2</SUB>O助溶剂的方法,降低铌酸锂的熔点,提高晶体的锂铌比,在熔融状态下,利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li<SUB>2</SUB>O的含量在49mol%以上,且光学质量好,适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN1362545A | 申请公布日期 | 2002.08.07 |
申请号 | CN01144331.6 | 申请日期 | 2001.12.17 |
申请人 | 南开大学 | 发明人 | 孔勇发;许京军;陈晓军;黄自恒;李兵;黄晖;孙骞;唐柏权;陈绍林;张玲;刘士国;张光寅 |
分类号 | C30B29/30;C30B15/00 | 主分类号 | C30B29/30 |
代理机构 | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 赵尊生 |
主权项 | 1.一种近化学计量比铌酸锂晶体,其特征在于所说的晶体中Li2O的含量在49mol.%以上。 | ||
地址 | 300071天津市南开区卫津路94号 |