| 摘要 |
<p>트렌치 및 메사 조합형 SOI 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이 SOI 소자는 SOI 기판 상부에 패터닝된 게이트 전극과, 게이트 전극의 측벽에 형성된 질화막 스페이서와, 게이트 전극의 노출된 표면 및 게이트 전극 및 게이트 스페이서가 형성되어 있지 않고 노출된 SOI 기판 표면을 실리사이드화하여 금속 실리사이드층을 형성한 SOI 소자에 있어서, SOI 기판의 활성영역을 정의하기 위하여, 상부에 게이트전극이 배치되는 영역에는 소자분리막이 형성되고, 상부에 게이트 전극이 배치되지 않은 영역에는 트렌치가 형성된 소자분리영역; 및 소자분리영역의 트렌치 측벽에는 질화막으로 형성된 소자분리 스페이서;를 포함함으로써 활성영역이 메사형으로 돌출된다. 이 트렌치 및 메사 조합형 SOI 소자에 의하면, STI 소자분리막의 식각으로 인한 트렌치 영역에서의 실리사이드 침식현상을 방지하여 SOI 소자의 신뢰도를 향상시킨다.</p> |
