| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具备:于基材上形成有配线图案之运载带、突出于上述运载带上所形成之突出开口部而形成具连接上述配线图案之内部导线、于述上述开口部与上述内部导线接合之半导体晶片、及与上述半导体晶片之上述内部导线之接合面相对而与该内部导线接合之电子零件,上述电子零件于由上述半导体晶片及内部导线接合而形成之低漥部,与上述内部导线接合。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述内部导线于上述开口部处,因上述半导体晶片于接合之方向被弯曲,而形成上述低洼部。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述半导体晶片之电极形成面,除与上述内部导线之接合部外,形成有绝缘性保护膜。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述半导体晶片与内部导线之接合部,及上述电子零件与内部导线之接合部,于内部导线之两侧,至少有一部份重叠而形成。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述半导体晶片之宽度,与上述电子零件之宽度相同,或较其为大。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述电子零件系具有与上述半导体晶片相异之机能之半导体晶片。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述电子零件系晶片电容器。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中最初与内部导线接合之半导体晶片上之金突起与内部导线之锡之接合,其次与内部着线接合之半导体晶片上之金突起与内部导线之锡之接合。9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中上述半导体晶片之金突起与内部导线之锡之接合部,使用环氧系接着剂。10.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中上述保护膜系包含有机类之材料。11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中上述有机类保护膜系,聚硫亚胺系、环氧系、聚氨酯系其中之一。12.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中上述保护膜之厚度系设定为于1m以上之半导体晶片上所形成之突起高度以下。13.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中在最初与内部导线接合之半导体晶片上之保护膜上固定该内部导线。14.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述内部导线,较于最初与该内部导线接合之半导体晶片处所形成之突起,更面向该半导体晶片之中心而在不接触到反下向之突起下,突出30m以上。15.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该内部导线系不与最初与内部导线接合之半导体晶片之突起接合,而存在于最初接合之半导体晶片上所形成之保护膜上,而与其次与内部导线接合之半导体晶片之突起作内部导线接着。16.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中上述内部导线其较半导体晶片之突起,更向半导体晶片中心突出,且具有2条以上之内部导线前端间连接之形状。17.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中最初与内部导线接合之半导体晶片之突起高度,及其次与内部导线接合之半导体晶片之突起高度不同。18.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中研磨最初与内部导线接合之半导体晶片及/或其次与内部导线接合之半导体晶片之背面,形成40m以上400m以下之厚度。19.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中至少有1个半导体晶片以树脂覆盖。20.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中对内部导线施以焊金之同时,使半导体晶片之突起包含金,且上述内部导线之焊金及半导体晶片之突起之金作接合。21.一种半导体装置,其特征为具备:于基材上形成有配线图案之运载带、突出于上述运载带上所形成之突出开口部而形成且连接上述配线图案之多数内部导线、于上述开口部与上述内部导线接合之第1半导体晶片、及与上述第1半导体晶片之上述内部导线之接合面相对而与该内部导线接合之第2半导体晶片,上述第2半导体晶片于由上述第1半导体晶片及内部导线接合而形成之低漥部,与上述内部导线接合。22.如申请专利范围第21项之半导体装置,其中上述第2半导体晶片之晶片宽度与第1半导体晶片之晶片宽度相同,或比其更小。23.如申请专利范围第21项之半导体装置,其中至少于第1半导体晶片之内部导线接合面上,形成有机类之保护膜。24.如申请专利范围第21项之半导体装置,其中上述之各内部导线,较与各半导体晶片之该内部导线接合之必要突起,更面向该半导体晶片之中心侧突出,且至少2条内部导线之突出之前端部分彼此之间为电连接。25.如申请专利范围第21项之半导体装置,其中叠层上述2个半导体晶片时,其厚度系调整各半导体晶片之厚度以形成为40m以上400m以下。26.如申请专利范围第21项之半导体装置,其中于上述第1半导体晶片上形成有别于上述第2半导体晶片之晶片电容器。27.一种液晶模组,其特征为具备:于基材上形成有配线图案之运载带、突出于上述运载带上所形成之突出开口部而形成且连接上述配线圈案之内部导线、于上述开口部与上述内部导线接合之半导体晶片、及与上述半导体晶片之上述内部导线之接合面相对而与该内部导线接合之电子零件,上述电子零件于由上述半导体晶片及内部导线接合而形成之低洼部,与上述内部导线接合而构成之半导体装置,系作为驱动液晶用的驱动器而被安装。图式简单说明:图1系本发明之半导体装置之概略剖面图。图2系图1所示半导体装置之概略平面图。图3系图2所示半导体装置之第2半导体晶片于叠层前之状态说明图。图4系本发明之其他半导体装置之概略剖面图。图5系本发明之其他半导体装置之概略剖面图。图6系本发明之其他半导体装置之概略剖面图。图7系本发明之其他半导体装置之概略剖面图。图8系本发明之其他半导体装置,显示作为电子零件之晶片电容器叠层前状态之说明图。图9系本发明之其他半导体装置,显示作为电子零件之晶片电容器叠层状态之说明图。图10系安装本发明之半导体装置之液晶模组之概略平面图。图11系习知之半导体装置之概略平面图。图12如图11所示之半导体装置之X、X线剖断面图。图13系构成以往半导体装置之可挠性薄膜之概略平面图。图14(a)-图14(d),系显示图13所示之使用可挠性薄膜之半导体装置之制造步骤说明图。 |
