| 摘要 |
Ein integrierter Schaltkreis beinhaltet eine Halbleiter-Schicht eines ersten Leitfähigkeits-Typs, eine Vielzahl von voneinander beabstandeten Halbleiter-Pfeilern, welche sich auswärts von besagter Halbleiter-Schicht hin erstrecken und dabei zwischen sich Gräben definieren, eine entsprechende Gate-Struktur in jedem Graben, und wenigstens einen tiefen Wannen-Bereich, aufweisend den zweiten Leitungsfähigkeits-Typ und angeordnet, um sich in die Haltbleiter-Schicht zwischen einem unmittelbar angrenzend benachbarten Paar von korrespondierenden Halbleiter-Pfeilern und unter dem Boden von wenigstens einem Graben zu erstrecken, dabei wenigstens eine inaktive Gate-Struktur definierend. Der wenigstens eine tiefe Wannen-Bereich kann so positioniert sein, dass wenigstens ein Graben keinen tiefen Wannen-Bereich darunter aufweist, um wenigstens eine aktive Gate-Struktur zu definieren. Jeder Halbleiter-Pfeiler kann aus einem zweiten Leitfähigkeits-Typ sein, bezogen auf den ersten Leitfähigkeits-Typ.
|
