发明名称 DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE
摘要 <p><P>Un dispositif photovoltaque comprend une couche cristalline 1 d'un premier type de conductivité, formée par un semiconducteur consistant en silicium cristallin, une couche amorphe 3 du type de conductivité opposé, formée par un semiconducteur consistant en silicium amorphe, et une couche micro-cristalline 2 formée par un semiconducteur consistant en silicium micro-cristallin pratiquement intrinsèque, qui est intercalée entre la couche cristalline et la couche amorphe.</P></p>
申请公布号 FR2650916(A1) 申请公布日期 1991.02.15
申请号 FR19900010210 申请日期 1990.08.09
申请人 SANYO ELECTRIC CO LTD 发明人 MASAYUKI IWAMOTO;KOUJI MINAMI;TOSHIHIKO YAMAOKI
分类号 H01L31/04;H01L31/036;H01L31/0368;H01L31/072;H01L31/20 主分类号 H01L31/04
代理机构 代理人
主权项
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