DETECTING A PROCESS ENDPOINT FROM A CHANGE IN REFLECTIVITY

摘要

기판 처리 장치는 기판 상의 제 1 재료를 처리할 수 있는 프로세스 챔버를 포함한다. 방사선 소오스는 프로세싱 중에 기판으로부터 반사된 방사선을 방출할 수 있다. 방사선 탐지기가 반사된 방사선을 탐지하고 신호 트레이스를 발생시키기 위해 제공된다. 제어기는 신호 트레이스를 수신하고 제 1 재료와 상이한 반사 계수를 갖는 제 2 재료의 노출에 특이성을 나타내는 신호 트레이스의 변화로부터 제 1 재료의 프로세싱 종결점을 평가하도록 구성된다.