| 发明名称 |
Mos device having a trench gate electrode |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2002251803(A1) |
申请公布日期 |
2002.07.30 |
| 申请号 |
AU20020251803 |
申请日期 |
2002.01.22 |
| 申请人 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
JUN ZENG;CARL FRANK JR. WHEATLEY |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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