Fabricating method for semiconductor device

摘要

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 고집적 반도체소자에서 비트라인 콘택플러그 및 저장전극 콘택플러그의 형성공정시 상기 비트라인 콘택플러그와 저장전극 콘택플러그는 같은 크기를 갖도록 일렬로 형성하되, 소자분리절연막 상부에도 콘택플러그가 형성되도록 하여 단차를 감소시켜 미스얼라인의 개선 및 콘택마스크를 단순하게 형성할 수 있게 하고 그에 따른 소자의 공정수율 및 신뢰성을 향상시키는 기술이다.