| 发明名称 |
METHOD OF GROWING A POLYCRYSTALLINE SILICON LAYER, METHOD OF GROWING A SINGLE CRYSTAL SILICON LAYER AND CATALYTIC CVD APPARATUS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG90263(A1) |
申请公布日期 |
2002.07.23 |
| 申请号 |
SG20010005325 |
申请日期 |
2001.08.30 |
| 申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
HISAYOSHI YAMOTO;HIDEO YAMANAKA |
| 分类号 |
C30B25/02;C23C16/24;C23C16/44;C30B29/06;H01L21/205;H01L21/208;(IPC1-7):C23C16/24 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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