| 主权项 |
1.一种积体电路元件去除晶边光阻的方法,包括下列步骤:提供一已形成元件的晶圆;涂布一光阻层以覆盖该晶圆;对该光阻层施以选择性曝光以定义图案,并施以显影步骤;以及利用化学试剂溶解与离心作用去除该晶圆边缘的光阻。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该积体电路元件系动态随机存取记忆体。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该光阻层系包括一般性光感材料。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该化学溶剂系去光阻溶剂。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学试剂供应的机台系一般涂布光阻的机台相同。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该晶圆边缘光阻去除的范围大约2.5mm。图式简单说明:第一图a至第一图d是习知动态随机存取记忆体制程中形成导线图案的剖面步骤图;第二图是第一图d之接触窗的俯视图;第三图,其是采用习知方法所形成在晶圆边缘之光阻层厚度与距离晶圆中心远近之关系示意图。第四图a至第四图d是本发明之动态随机存取记忆体制程中形成导线图案的剖面步骤图;第五图是第四图d之接触窗的俯视图;第六图是采用本发明所提供方法所形成在晶圆边缘之光阻层与距离晶圆中心远近之关系示意图;以及第七图是本发明在去除晶边光阻层使用化学溶剂步骤之示意图。 |
