| 主权项 |
1.一种电路配置,其用来在电路(特别是在积体电路 )中降低MOSFETs(T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9,T10)之l/f杂讯, 其具有至少一种MOSFET(T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9,T10),一 个或多个或全部之MOSFETs配置至少一个直流电流源 (io)及/或至少一个直流电压源(V0)以设定此MOSFETs(T1 ,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9,T10)之固定之操作点,其特征为: 一个或多个或全部之MOSFETs(T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9,T 10)配置至少一个周期式振荡之电流源及/或电压源 (i1,;V1,),使各别之操作点可在直流电压源(V0) 及/或直流电流源(i0)所预设之固定之操作点附近 周期性地振荡2,因此使MOSFETs(T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9, T10)之氧化物中之缺陷状态(其在固定操作点此种 条件下依据统计学之定律而被充电,使其可决定l/f 杂讯信号)不是以统计方式来充电,而是由于周期 性振荡源(i1,;I1,)之调变频率()而不再以相 同之大小来充电。2.如申请专利范围第1项之电路 配置,其中此周期性振荡源之调变频率之倒数(l/ )小于主杂讯缺陷之平衡-时间常数。3.如申请专利 范圆第1或第2项之电路配置,其中须选取该振荡源 之振幅(i1,V1),使电压上升値(其使缺陷位置处之形 成电流之这些电荷载体之各别之准费米阶(guasi fermi level)偏移)大于数个热电压(KT/e)之等效値。4. 如申请专利范围第3项之电路配置,其中须选取该 振荡源之振幅(V1,i1),使MOSFETs(T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9, T10)之操作点可在低空乏区和高空乏区之间偏移或 在空乏区和高空乏区之间偏移。5.一种电子电路( 特别是积体电路)中降低MOSFETs(T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T 9,T10)之l/f杂讯所用之方法,此种电路具有一个或多 个MOSFETs(T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9,T10),须设定固定之操 作点,其特征为:各别之操作点是在预设之固定之 操作点附近周期性地振荡,因此使MOSFETs(T1,T2,T3,T4,T 5,T6,T7,T8,T9,T10)之氧化物中之缺陷状态(其在固定操 作点此种条件下依据统计学之定律而被充电,使其 可决定l/f杂讯信号),不是以统计方式来充电,而是 由于调变频率()而以较小之机率来充电。6.如申 请专利范围第5项之方法,其中此振荡频率之倒数(l /)小于主杂讯缺陷之平衡-时间常数。7.如申请 专利范围第5项或第6项之方法,其中须选取此操作 点之振荡时之振幅(V1,i1),使电压上升値(其使形成 电流之这些电荷载体之各别之准费米阶偏移)大于 数个热电压(KT/e)之等效値。8.如申请专利范围第7 项之方法,其中各MOSFETs(T1,T2,T3,T4,T5,T6,T7,T8,T9,T10)之 操作点可在低空乏区和高空乏区之间偏移或在空 乏区和高空乏区之间偏移。图式简单说明: 第1图一种简易之放大器,其具有本发明之电路。 第2图一种简易之差动级,其具有本发明之电路。 第3图一种简易之MOS运算放大器,其具有本发明之 电路。 |
