| 主权项 |
1.一种低介电系数氧化矽系覆膜形成用涂布液,该 涂布液之特征系含有由 (i)氧化矽微粒与下述一般式(I)所示烷氧基矽烷之1 种或2种以上水解物反应所生成之聚矽氧烷(A),与 (ii)于500℃以下之温度藉由热处理,或照射紫外线 、红外线、电子射线、X射线或氧电浆而分解或挥 散,且具有换算聚苯乙烯分子量为500至50000之数均 分子量之易分解性树脂(B), 而成之聚合物组成物,构成该聚合物组成物之聚矽 氧烷(A)与易分解性树脂(B)之重量比(A/B)系95/5至50/ 50(聚矽氧烷换算为SiO2); XnSi(OR)4-n (I) (式中,X示氢原子、氟原子、或碳原子数为1至8之 烷基、氟取代烷基、芳基或乙烯基,R示氢原子、 或碳原子数为1至8个之烷基、芳基或乙烯基,又,n 为0至3之整数)。2.如申请专利范围第1项之低介电 系数氧化矽系覆膜形成用涂布液,其中前述聚合物 组成物系前述聚矽氧烷与前述易分解性树脂在支 链级位上缠结之相互穿插型聚合物组成物。3.如 申请专利范围第1项之低介电系数氧化矽系覆膜形 成用涂布液,其中前述氧化矽微粒系,将前述一般 式(I)所示烷氧基矽烷之1种或2种以上进行水解,或 水解后熟成而得者。4.如申请专利范围第1项之低 介电系数氧化矽系覆膜形成用涂布液,其中前述聚 矽氧烷系在前述氧化矽微粒表面,使前述一般一般 式(I)所示烷氧基矽烷之1种或2种以上之水解物反 应而得者。5.如申请专利范围第1项之低介电系数 氧化矽系覆膜形成用涂布液,其中前述聚合物组成 物系于 (a)平均粒径5至50nm之氧化矽微粒与, (b)前述一般式(I)所示烷氧基矽烷之1种或2种以上 与, (c)经溶解在与水不相溶之有机溶剂中之易分解性 树脂溶液 之混合液中,添加水及酸催化剂或含有酸催化剂之 水溶液,使烷氧基矽烷发生接触催化水解反应而得 者。6.如申请专利范围第5项之低介电系数氧化矽 系覆膜形成用途布液,其中聚矽氧烷之调制所用之 氧化矽微粒(A)与前述一般式(I)所示烷氧基矽烷(B) 之混合比例(A/B),换算为SiO2之重量比,系1/99至10/90 。7.一种低介电系数覆膜之基材,该基材之特征为; 使申请专利范围第1至6项中任一项之低介电系数 氧化矽系覆膜形成用涂布液涂布于基材上并将所 得覆膜加热处理后,于50℃以下之温度藉由热处理, 或照射紫外线、红外线、电子射线、X射线或氧电 浆,则该覆膜中所含构成前述聚合物组成物或前述 相互穿插型聚合物组成物之易分解性树脂分解或 挥散而形成氧化矽系低密度膜。8.如申请专利范 围第7项之低介电系数覆膜之基材,其中前述氧化 矽系低密度膜中所含空孔之平均空孔径为5nm以下 。 |
