| 主权项 |
1.一种蚀刻方法,包含在矽上施用含有销酸与氢氟酸的蚀刻液以蚀刻矽,包括:一种回收/再生步骤,以回收在蚀刻步骤用过的蚀刻液,并导入对蚀刻液惰性的气体与回收的蚀刻液接触,以再生此蚀刻液;至少一部份的再生蚀刻液于回收/再生步骤后,再利用于蚀刻步骤中。2.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中:在回收/再生步骤中与蚀刻液接触的气体为空气。3.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中:于蚀刻的步骤中将预定量的蚀刻液自贮存的循环槽中传送出,并施用在矽上;再利用于蚀刻步骤中的再生蚀刻液回到循环槽,而含有硝酸与氢氟酸的补充溶液导入循环槽,在下一次蚀刻步骤将蚀刻液自循环槽中传送出之前,至少使循环槽中的蚀刻液内氢氟酸的比例达预定的値。4.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中:丢弃一预定比例于回收/再生步骤中的再生蚀刻液,剩余的则再利用于蚀刻步骤中。5.如申请专利范围第4项之蚀刻方法,其中:于回收/再生步骤中的再生蚀刻液的丢弃比例的设定原则如下,六氟矽酸在蚀刻步骤中的产生量与其在再生蚀刻液的丢弃量之间达平冲。6.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,其中:蚀刻步骤中施用于矽上的蚀刻液温度可调整至预定的温度。7.一种蚀刻装置,在矽上施用含有硝酸与氢氟酸的蚀刻液以蚀刻矽,包括:支撑机构以支撑待蚀刻的矽;输送机构以携带待蚀刻的矽至支撑机构上,并将蚀刻的矽自支撑机构带出;循环槽以贮存含硝酸与氢氟酸的蚀刻液;蚀刻液施用机构将贮存于循环槽中的蚀刻液施用在受支撑机构所支撑的矽上;回收机构以回收施用在受支撑机构所支撑的矽上的蚀刻液;再生机构以传送对蚀刻液惰性的气体与以回收机构回收的蚀刻液接触,以再生蚀刻液;及循环机构将至少一部份由再生机构再生的蚀刻液带回至循环槽。8.如申请专利范围第7项之蚀刻装置,其中:再生机构传送空气与回收的蚀刻液接触。9.如申请专利范围第7项之蚀刻装置,其中:再生机构系由气-液接触塔所组成,其包含一由许多填充物填充的主要单元,将蚀刻液自主要单元的上方导入待再生的蚀刻液导入机构、将气体自主要单元的下方导入的气体导入机构、自主要单元的上方将气体排出的气体排放机构。10.如申请专利范围第9项之蚀刻装置,其中:气-液接触塔具有一收集槽,以收集往下流经主要单元的蚀刻液;蚀刻液导入机构将以回收机构回收的蚀刻液导入主要单元,也将收集槽所收集的蚀刻液重复地导入主要单元中。11.如申请专利范围第7项之蚀刻装置,其中:蚀刻液施用机构自循环槽传送预定量的蚀刻液,并施用于为支撑机构所支撑的矽上;且再补充机构输送含有硝酸与氢氟酸的再补充液至循环槽中,在下一次蚀刻步骤蚀刻液自循环槽中由施用机构传送出之前,至少使循环槽内在蚀刻液中氢氟酸的比例可达预定的値。12.如申请专利范围第7项之蚀刻装置,进一步包含;丢弃机构以丢弃预定比例由再生机构所再生的蚀刻液。13.如申请专利范围第7项之蚀刻装置,进一步包含;温度调整机构以调整在循环槽中的蚀刻液至预定的温度。图式简单说明:第一图为依据本发明所建构的蚀刻装置的较佳实施例的示意图;和第二图为第一图中的蚀刻装置的支撑机构与设在其周围的机构断面示意图。 |
