发明名称 FABRICATING METHOD OF DIELECTRIC FILM
摘要 <p>본 발명은 유전막 제조방법에 관한 것으로, 종래의 상부전극을 효과적인 물질로 대체한 방법은 촉매특성이 약한 금이나 은이 백금에 비해 상대적으로 작은 일함수와 산화경향을 갖고 있어 수소 열처리를 실시하기 전부터 우수한 특성의 유전막을 얻기 어려운 문제점이 있으며, 캡절연막을 채용하는 방법은 유전막 자체의 특성열화를 방지할 수는 있지만, 최종적인 보호막을 형성하는 단계에서 캡절연막에 의하여 수소의 침투가 이루어지지 않기 때문에 보호막 자체의 목적을 이룰 수 없는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명은 화학양론적인 양 이상의 산소가 첨가된 유전막을 형성하는 공정과; 상기 화학양론적인 양 이상의 산소가 첨가된 유전막 상에 상부전극을 형성하는 공정과; 상기 상부전극 상에 층간절연막이나 보호막을 선택적으로 형성하는 공정과; 상기 층간절연막이나 보호막이 형성된 결과물을 열처리하여 상기 유전막에 화학양론적인 양 이상 첨가된 산소를 활성화시키는 공정으로 이루어지는 유전막 제조방법을 제공하여 공정이 매우 단순하면서도 모든 상부전극 재료에 적용될 수 있고, 종래 캡절연막의 형성에서와 같이 여타 공정과의 호환성 확인 및 새로운 층 형성에 따른 비용 추가가 요구되지 않아 현저히 개선된 효과를 갖는다.</p>
申请公布号 KR100343456(B1) 申请公布日期 2002.07.11
申请号 KR19990050818 申请日期 1999.11.16
申请人 null, null 发明人 길덕신
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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