Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium, gekennzeichnet durch die Schritte: DOLLAR A a) Umsetzung von metallurgischem Silicium mit Siliciumtetrachlorid (SiCl¶4¶), Wasserstoff (H¶2¶) und Chlorwasserstoff (HCl) bei einer Temperatur von 500 bis 800 DEG C und einem Druck von 25 bis 40 bar zu einem trichlorsilanhaltigen (SiHCl¶3¶) Rohgasstrom, DOLLAR A b) Entfernung von Verunreinigungen aus dem entstehenden trichlorsilanhaltigen Rohgasstrom durch Wäsche mit kondensierten Chlorsilanen bei einem Druck von 25 bis 40 bar und einer Temperatur von 160 bis 220 DEG C in einer mehrstufigen Destillationskolonne, wobei ein gereinigter trichlorsilanhaltiger Rohgasstrom und eine feststoffhaltige Chlorsilan-Suspension entstehen und destillative Auftrennung des gereinigten Rohgasstroms in einen im wesentlichen aus SiCl¶4¶ und einen im wesentlichen aus SiHCl¶3¶ bestehenden Teilstrom, DOLLAR A c) Disproportionierung des SiHCl¶3¶-haltigen Teilstroms zu SiCl¶4¶ und SiH¶4¶, wobei die Disproportionierung in mehreren reaktiv/destillativen Reaktionsbereichen, die im Gegenstrom von Dampf und Flüssigkeit durchströmt werden, an katalytisch wirkenden Feststoffen unter einem Druck von 500 mbar bis 50 bar durchgeführt wird und wobei einem ersten Reaktionsbereich SiHCl¶3¶ zugeführt wird, das dort erzeugte leichter siedende SiH¶4¶-haltige Disproportionierungs-Produkt im Temperaturbereich von -25 DEG C bis 50 DEG C zwischenkondensiert wird, das dabei nicht kondensierte SiH¶4¶-haltige Produktgemisch in einem ...